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    碳化硅為機械強度、熱穩定度、化學穩定度皆非常優異的化合物半導體,其莫氏硬度為9,熔點2830°C, 只能以600°C 純KOH溶液蝕刻。碳化硅極高的3.26eV能隙對比起硅的1.12eV ,使碳化硅擁有耐壓、高效、穩定、散熱等優勢。
    Fast SiC semiconductor lnc.即思創意股份有限公司專注于sic功率組件之無晶圓廠設計公司,主要提供有650V~1700V之SiC MOSFET與SiC二極管,目前唯一將SIC MOSFET設計可符合常規之12v硅基閘極驅動器使用。現時碳化硅主要應用領域將會于高功率電源市場以及極端環境下的各式應用中。
    Product No. Drain-source?Voltage[V] Drain-source?On-state?Resistance(Typ.)?[mΩ] Package PDF下載
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